PBSS5220V,115

PBSS5220V,115图片1
PBSS5220V,115概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LO VCESATBISSTRANS TAPE-7

Bipolar BJT Transistor PNP 20V 2A 185MHz 900mW Surface Mount SOT-666


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PNP 20V 2A


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PBSS5220V,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.9 W

耗散功率 900 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 155 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 220 @1mA, 2V

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS5220V,115
型号: PBSS5220V,115
制造商: Nexperia 安世
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LO VCESATBISSTRANS TAPE-7
替代型号PBSS5220V,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5220V,115

Nexperia 安世

当前型号

当前型号

PBSS5220V

恩智浦

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PBSS5220V,115和PBSS5220V的区别

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