Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
低饱和电压 NPN ,
一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
欧时:
Nexperia PBSS4140U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
立创商城:
NPN 40V 1A
得捷:
TRANS NPN 40V 1A SOT323
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin SC-70 T/R
额定功率 0.25 W
针脚数 3
耗散功率 250 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PBSS4140U,115 Nexperia 安世 | 当前型号 | 当前型号 |
PBSS4140U,135 恩智浦 | 类似代替 | PBSS4140U,115和PBSS4140U,135的区别 |