PBSS5350T,215

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PBSS5350T,215概述

Nexperia PBSS5350T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

低饱和电压 PNP ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


得捷:
TRANS PNP 50V 2A TO236AB


欧时:
Nexperia PBSS5350T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


立创商城:
PNP 50V 2A


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Trans GP BJT PNP 50V 2A 1200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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PBSS5350T Series 50 V 3 A 480 mW PNP Low VCEsat BISS Transistor - SOT-23-3


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Win Source:
TRANS PNP 50V 2A SOT23


PBSS5350T,215中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.2 W

针脚数 3

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

额定功率Max 540 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 540 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 消费电子产品, 电源管理, 信号处理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

PBSS5350T,215引脚图与封装图
PBSS5350T,215引脚图
PBSS5350T,215封装焊盘图
在线购买PBSS5350T,215
型号: PBSS5350T,215
制造商: Nexperia 安世
描述:Nexperia PBSS5350T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
替代型号PBSS5350T,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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