PBHV8118T,215

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PBHV8118T,215概述

NXP PBHV8118T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=180 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装

低饱和电压 NPN ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


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NXP PBHV8118T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=180 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


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PBHV8118T,215中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 180 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBHV8118T,215
型号: PBHV8118T,215
制造商: Nexperia 安世
描述:NXP PBHV8118T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=180 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装

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