PBHV8115X,115概述
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
The PBHV8115X is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. It offers die pad for good heat transfer.
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- High voltage
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- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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- High collector current capability IC and ICM
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- High collector current gain hFE at high IC
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- AEC-Q101 qualified
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- %4F Marking code
PBHV8115X,115中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定功率 0.52 W
针脚数 3
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 车用, 照明, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
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