PBSS4032PX,115

PBSS4032PX,115图片1
PBSS4032PX,115概述

单晶体管 双极, PNP, -30 V, 115 MHz, 600 mW, -4.2 A, 350 hFE

The PBSS4032PX is a 4.2A PNP breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power and flat lead surface-mount plastic package.

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Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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Optimized switching time
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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High energy efficiency due to less heat generation
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Smaller required printed-circuit board PCB area than for conventional transistors
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AEC-Q101 qualified
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NPN complement is PBSS4032NX
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6J Marking code
PBSS4032PX,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

针脚数 3

耗散功率 600 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V

额定功率Max 2.5 W

直流电流增益hFE 350

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 车用, 电源管理, 工业, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS4032PX,115
型号: PBSS4032PX,115
制造商: Nexperia 安世
描述:单晶体管 双极, PNP, -30 V, 115 MHz, 600 mW, -4.2 A, 350 hFE

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