PMV35EPER概述
2N沟道 VDS=30V VGS=±8V ID=350mA P=445mW
表面贴装型 P 通道 5.3A（Ta） 480mW（Ta），1.2W（Tc） TO-236AB
得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
立创商城:
P沟道 30V 5.3A
贸泽:
MOSFET PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 3-Pin TO-236AB T/R
PMV35EPER中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480mW Ta, 1.2W Tc
输入电容 793 pF
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 793pF @15VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480mW Ta, 1.2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
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