N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5.7A P=530mW
表面贴装型 N 通道 30 V 5.7A(Ta) 530mW(Ta),4.46W(Tc) 6-TSOP
得捷: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
立创商城: PMN40ENEX
艾睿: 30 V, N-channel Trench MOSFET
耗散功率 530mW Ta, 4.46W Tc
输入电容 294 pF
输入电容Ciss 294pF @15VVds
耗散功率Max 530mW Ta, 4.46W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册