PMN40ENEX

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PMN40ENEX概述

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5.7A P=530mW

表面贴装型 N 通道 30 V 5.7A(Ta) 530mW(Ta),4.46W(Tc) 6-TSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP


立创商城:
PMN40ENEX


艾睿:
30 V, N-channel Trench MOSFET


PMN40ENEX中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 530mW Ta, 4.46W Tc

输入电容 294 pF

输入电容Ciss 294pF @15VVds

耗散功率Max 530mW Ta, 4.46W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PMN40ENEX
型号: PMN40ENEX
制造商: Nexperia 安世
描述:N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5.7A P=530mW

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