单晶体管 双极, NPN, 600 V, 650 mW, 100 mA, 70 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 600 V 100 mA - 650 mW 表面贴装型 SOT-223
得捷:
TRANS NPN 600V 0.1A SOT223
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 0.1A NPN High- Voltage Transistor
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 600 V, 650 mW, 100 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
安富利:
PBHV2160Z/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Verical:
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Win Source:
TRANS NPN 600V 0.1A SOT223 / Bipolar BJT Transistor NPN 600 V 100 mA 650 mW Surface Mount SOT-223
额定功率 0.65 W
针脚数 4
耗散功率 1.4 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 125 @10mA, 10V
额定功率Max 650 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅