PBHV8215Z,115

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PBHV8215Z,115概述

NXP PBHV8215Z,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

低饱和电压 NPN ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


得捷:
PBHV8215Z - 150 V, 2 A NPN HIGH-


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NPN 150V 2A


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NXP PBHV8215Z,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 33 MHz, 730 mW, 2 A, 240 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 2A 1450mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 150V 2A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 2A 1450mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


PBHV8215Z,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.73 W

针脚数 4

耗散功率 1.45 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 10V

额定功率Max 1.45 W

直流电流增益hFE 240

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.45 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 照明, 电机驱动与控制, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBHV8215Z,115
型号: PBHV8215Z,115
制造商: Nexperia 安世
描述:NXP PBHV8215Z,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=150 V, HFE:100, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

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