PBSS9110T,215

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PBSS9110T,215概述

低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

低饱和电压 PNP ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

### 双极晶体管,Nexperia


得捷:
TRANS PNP 100V 1A TO236AB


欧时:
Nexperia PBSS9110T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


立创商城:
PNP 100V 1A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS BISS TAPE-7


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 300 mW, -1 A, 150 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PNP 100V 1A SOT23


PBSS9110T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定功率 0.48 W

针脚数 3

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V

额定功率Max 480 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 480 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 照明, 车用, 通信与网络, 电机驱动与控制, 信号处理, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS9110T,215
型号: PBSS9110T,215
制造商: Nexperia 安世
描述:低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia

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