低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
低饱和电压 PNP ,
一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
### 双极晶体管,Nexperia
得捷:
TRANS PNP 100V 1A TO236AB
欧时:
Nexperia PBSS9110T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
立创商城:
PNP 100V 1A
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS BISS TAPE-7
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 300 mW, -1 A, 150 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 100V 1A SOT23
频率 100 MHz
额定功率 0.48 W
针脚数 3
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 480 mW
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 480 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 照明, 车用, 通信与网络, 电机驱动与控制, 信号处理, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅