PMDPB70EN,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMDPB70EN,115概述

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 3.5A 510mW 表面贴装型 6-HUSON-EP（2x2）

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin HUSON EP T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN

PMDPB70EN,115中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 130pF @15VVds

额定功率Max 510 mW

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 510 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN2020-6

外形尺寸

封装 DFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买PMDPB70EN,115

型号： PMDPB70EN,115

描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN