MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
表面贴装型 N 通道 30 V 930mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006B-3
得捷: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
贸泽: MOSFET 30V Single N-channel Trench MOSFET
艾睿: Trans MOSFET N-CH 30V 0.93A 3-Pin DFN-B T/R
耗散功率 2.7 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 56pF @25VVds
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta, 2.7W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册