PRMD10Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

PRMD10Z概述

2个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6

得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN

立创商城:
2个PNP-预偏置 100mA 50V

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 480mW Automotive 6-Pin DFN EP T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 480mW Automotive 6-Pin DFN EP T/R

PRMD10Z中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.48 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 480 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 230 MHz

耗散功率Max 480 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

PRMD10Z引脚图与封装图

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型号： PRMD10Z

描述：2个PNP-预偏置 100mA 50V