PRMB11Z

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PRMB11Z概述

2个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 180MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6


立创商城:
2个PNP-预偏置 100mA 50V


得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V DFN1412-6


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 480mW Automotive 6-Pin DFN EP T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 480mW Automotive 6-Pin DFN EP T/R


PRMB11Z中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.48 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 480 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 180 MHz

耗散功率Max 480 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PRMB11Z
型号: PRMB11Z
制造商: Nexperia 安世
描述:2个PNP-预偏置 100mA 50V

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