PSMN6R9-100YSFX

PSMN6R9-100YSFX概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.3 V

NextPower 100V MOSFETs are smaller, faster cooler and optimised for fast switching, low spiking and high efficiency. NextPower 100V T8 uses deep-trenches and charge-balanced structure resurf in LFPAK56 SOT669 & SOT1023, TO-220 & TO-220 & I2PAK. Featuring Best-in-class low Qrr giving high-efficiency in switching applications.


立创商城:
N沟道 100V 90A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.3 V


艾睿:
NextPower 100 V, 7 mohm N-channel MOSFET in LFPAK56 package


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 4-Pin Power SO8


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56 / N-Channel 100 V 100A Tc 238W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8


PSMN6R9-100YSFX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.0056 Ω

耗散功率 238 W

阈值电压 3.3 V

输入电容 3570 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 14.2 ns

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

耗散功率Max 238 W

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买PSMN6R9-100YSFX
型号: PSMN6R9-100YSFX
制造商: Nexperia 安世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3.3 V

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