PIMD3F参数规格_中文资料_数据手册PDF

PIMD3F概述

1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 230MHz, 180MHz 250mW Surface Mount 6-TSOP

立创商城:
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V

得捷:
PIMD3/SOT457/SC-74

PIMD3F中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： PIMD3F

描述：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V