晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
表面贴装型 N 通道 20 V 800mA(Ta) 370mW(Ta),2.2W(Tc) DFN0606-3
得捷: MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
立创商城: PMH600UNEH
e络盟: 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 800 mA, 0.47 ohm, DFN0606, 表面安装
针脚数 3
漏源极电阻 0.47 Ω
耗散功率 370 mW
阈值电压 700 mV
输入电容 21 pF
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
封装 DFN0606-3
工作温度 150 ℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册