FAIRCHILD SEMICONDUCTOR QSE113 红外光电三极管
The from is a NPN silicon infrared phototransistor encapsulated in black plastic sidelooker package.
电源电压DC 5.00 V
额定电压DC 30.0 V
工作电压 5.00 V
输出电压 ≤30.0 V
击穿电压 30.0 V
通道数 1
针脚数 2
波长 880 nm
视角 25°
峰值波长 880 nm
极性 NPN
耗散功率 100 mW
功耗 100 mW
上升时间 8 µs
输出功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 8 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Side Looking
长度 4.44 mm
宽度 2.54 mm
高度 5.08 mm
脚长度 12.7 mm
封装 Side Looking
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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QSE113 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |