STMICROELECTRONICS RBO40-40G 静电保护装置, 40 V, TO-263, 3 引脚, 1.5 kW
反向电池和过电压保护，STMicroelectronics
RBOxx ASD 设备设计用于防止汽车应用中的电池反接和负载突卸过电压。
Transil 保护，防止负载突卸脉冲
8A 或 40A 系列，防止电池反接损坏
钳位电压：最高 ±40V
**RS 产品代码**
686-7486 RBO08-40G 8A D2PAK
249-252 40A D2PAK
877-2813 RBO40-40G-TR 40A D2PAK
919-6352 RBO40-40G 40A D2PAK（每包 50 个）
### 标准
ISO/DTR 7637-2
### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics
额定电压DC 80.0 V
工作电压 40 V
电容 3.00 nF
额定功率 1.50 kW
击穿电压 24 V
电路数 1
针脚数 3
正向电压 1.9 V
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 40 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 24 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.28 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 工业, 车用, Automotive, 汽车级, Industrial, 通用, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RBO40-40G ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RBO40-40T 意法半导体 | 完全替代 | RBO40-40G和RBO40-40T的区别 |
RBO40-40G-TR 意法半导体 | 类似代替 | RBO40-40G和RBO40-40G-TR的区别 |