RQJ0301HGDQS#H3

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RQJ0301HGDQS#H3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.2A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买RQJ0301HGDQS#H3
型号: RQJ0301HGDQS#H3
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:RENESAS  RQJ0301HGDQS#H3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.2 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V

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