RJP60F5DPK-01#T0参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJP60F5DPK-01#T0概述

IGBT 晶体管 IGBT

IGBT - 600 V 80 A 260.4 W 通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 600V 80A 260.4W

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube

RJP60F5DPK-01#T0中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 260.4 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJP60F5DPK-01#T0引脚图与封装图

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型号： RJP60F5DPK-01#T0

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：IGBT 晶体管 IGBT