RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL图片1
RGT30NS65DGTL图片2
RGT30NS65DGTL图片3
RGT30NS65DGTL图片4
RGT30NS65DGTL概述

ROHM  RGT30NS65DGTL  单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS TO-263S


得捷:
IGBT TRENCH FIELD 650V 30A LPDS


立创商城:
RGT30NS65DGTL


Newark:
# ROHM  RGT30NS65DGTL  IGBT, SINGLE, 650V, 30A, TO-263S-3


Win Source:
IGBT 650V 30A 133W TO-263S


RGT30NS65DGTL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 133 W

针脚数 3

耗散功率 133 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 55 ns

额定功率Max 133 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RGT30NS65DGTL
型号: RGT30NS65DGTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RGT30NS65DGTL  单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司