RGT8BM65DTL

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RGT8BM65DTL概述

单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252


得捷:
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252


贸泽:
IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench


e络盟:
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252 DPAK, 3 引脚


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 3-Pin TO-252 T/R


RGT8BM65DTL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 62 W

针脚数 3

耗散功率 62 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 62 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RGT8BM65DTL
型号: RGT8BM65DTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 8 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252, 3 引脚

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