RGTH60TS65GC11

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RGTH60TS65GC11概述

ROHM  RGTH60TS65GC11  单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 58 A 197 W 通孔 TO-247N


得捷:
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N


e络盟:
单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚


Newark:
# ROHM  RGTH60TS65GC11  IGBT, SINGLE, 650V, 58A, TO-247N-3


RGTH60TS65GC11中文资料参数规格
技术参数

额定功率 194 W

针脚数 3

耗散功率 194 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 197 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RGTH60TS65GC11
型号: RGTH60TS65GC11
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RGTH60TS65GC11  单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 58 A, 1.6 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

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