RJH65D27BDPQ-A0#T0

RJH65D27BDPQ-A0#T0概述

IGBT 650V

IGBT


得捷:
IGBT 650V


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375000mW


RJH65D27BDPQ-A0#T0中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

封装 -

外形尺寸

封装 -

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJH65D27BDPQ-A0#T0
型号: RJH65D27BDPQ-A0#T0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:IGBT 650V

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