RB520S30T1G

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RB520S30T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C

肖特基势垒,最大 900mA,

### 标准

带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523


欧时:
ON Semiconductor 二极管 RB520S30T1G 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-523封装


立创商城:
RB520S30T1G


贸泽:
肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 0.2A 2-Pin SOD-523 T/R


Allied Electronics:
ON Semi RB520S30T1G; SMT Schottky Diode; 30V 200mA; 2-Pin SOD-523


Chip1Stop:
Diode Schottky 0.2A Automotive 2-Pin SOD-523 T/R


TME:
Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; SOD523


Verical:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 2-Pin SOD-523 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  Small Signal Schottky Diode, Single, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523


RB520S30T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

输出电流 ≤200 mA

针脚数 2

正向电压 600mV @200mA

极性 Standard

耗散功率 200 mW

热阻 635 ℃/W

反向恢复时间 6 ns

正向电流 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 200 mA

正向电压Max 600 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

长度 1.3 mm

宽度 0.9 mm

高度 0.6 mm

封装 SOD-523

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Portable Devices, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RB520S30T1G引脚图与封装图
RB520S30T1G引脚图
RB520S30T1G封装焊盘图
在线购买RB520S30T1G
型号: RB520S30T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  RB520S30T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
替代型号RB520S30T1G
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