RB751S40,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

RB751S40,115图片1

RB751S40,115图片2

RB751S40,115图片3

RB751S40,115图片4

RB751S40,115图片5

RB751S40,115图片6

RB751S40,115中文资料参数规格

技术参数

正向电压 370mV @1mA

耗散功率 280 mW

热阻 450℃/W RθJA

正向电流Max 0.12 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 SOD-523

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RB751S40,115

型号： RB751S40,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：Diode Schottky 40V 0.12A 2Pin SC-79 T/R

替代型号RB751S40,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RB751S40,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
RB751S40 恩智浦	完全替代	RB751S40,115和RB751S40的区别
RB751S40T1G 安森美	功能相似	RB751S40,115和RB751S40T1G的区别
ZLLS350TA 美台	功能相似	RB751S40,115和ZLLS350TA的区别