RFM12U7XTE12L,Q概述
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
RF Mosfet N-Channel 7.2V 750mA 520MHz 10.8dB 12W PW-X
得捷:
MOSFET N-CH PW-X
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin PW-X T/R
儒卓力:
**N-CH RF-MOSFET 20V 4A 12W PW-X **
Win Source:
MOSFET N-CH PW-X
RFM12U7XTE12L,Q中文资料参数规格
在线购买RFM12U7XTE12L,Q
型号： RFM12U7XTE12L,Q
制造商：
Toshiba
东芝
描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V