RN1317TE85L,F

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RN1317TE85L,F概述

USM NPN 50V 100mA

* With built-in bias resistors * Simplify circuit design * Reduce a quantity of parts and manufacturing process * Complementary to RN2314 to RN2318 * Vi ON : 1.5 to 3.5 V


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM


RN1317TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1317TE85L,F引脚图与封装图
RN1317TE85L,F引脚图
在线购买RN1317TE85L,F
型号: RN1317TE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:USM NPN 50V 100mA

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