RN2303TE85L,F概述
USM PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
RN2303TE85L,F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 70
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2303TE85L,F引脚图与封装图 
在线购买RN2303TE85L,F