RN2114MFVTPL3中文资料参数规格 技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VESM
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RN2114MFVTPL3 型号： RN2114MFVTPL3
制造商：
Toshiba
东芝
描述：VESM PNP 50V 100mA
