RN2311TE85L,F

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RN2311TE85L,F概述

USM PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10Kohms


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM


RN2311TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN2311TE85L,F
型号: RN2311TE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:USM PNP 50V 100mA
替代型号RN2311TE85L,F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RN2311TE85L,F

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

BCR183WH6327XTSA1

英飞凌

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RN2311TE85L,F和BCR183WH6327XTSA1的区别

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