USM PNP 50V 100mA
With built-in bias resistors z Simplify circuit design z Reduce a quantity of parts and manufacturing process z Complementary to RN1310, RN1311
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
安富利:
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
极性 PNP
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 120
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RN2310TE85L,F Toshiba 东芝 | 当前型号 | 当前型号 |
UNR511600L 松下 | 功能相似 | RN2310TE85L,F和UNR511600L的区别 |