RN1102MFVTL3,T

RN1102MFVTL3,T图片1
RN1102MFVTL3,T中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VESM

外形尺寸

封装 VESM

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RN1102MFVTL3,T引脚图与封装图
RN1102MFVTL3,T引脚图
RN1102MFVTL3,T封装图
RN1102MFVTL3,T封装焊盘图
在线购买RN1102MFVTL3,T
型号: RN1102MFVTL3,T
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC

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