RN1130MFVTL3,T

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RN1130MFVTL3,T中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VESM

外形尺寸

封装 VESM

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RN1130MFVTL3,T
型号: RN1130MFVTL3,T
制造商: Toshiba 东芝
描述:VESM NPN 50V 100mA

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