RN1132MFVTPL3

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RN1132MFVTPL3中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120

最大电流放大倍数hFE 700

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-723

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1132MFVTPL3引脚图与封装图
RN1132MFVTPL3引脚图
RN1132MFVTPL3封装图
RN1132MFVTPL3封装焊盘图
在线购买RN1132MFVTPL3
型号: RN1132MFVTPL3
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 50volts 100mA 3Pin 200Kohms x 0ohms

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