RN1111MFVTPL3

RN1111MFVTPL3图片1
RN1111MFVTPL3图片2
RN1111MFVTPL3中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 700

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VESM-3

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.5 mm

封装 VESM-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1111MFVTPL3引脚图与封装图
RN1111MFVTPL3封装图
RN1111MFVTPL3封装焊盘图
在线购买RN1111MFVTPL3
型号: RN1111MFVTPL3
制造商: Toshiba 东芝
描述:VESM NPN 50V 100mA

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台