RN1118MFVTPL3中文资料参数规格 技术参数
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VESM
外形尺寸
长度 1.2 mm
宽度 0.5 mm
高度 1.2 mm
封装 VESM
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RN1118MFVTPL3 型号： RN1118MFVTPL3
制造商：
Toshiba
东芝
描述：VESM NPN 50V 100mA
