RN1116MFVTPL3中文资料参数规格 技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VESM
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RN1116MFVTPL3 型号： RN1116MFVTPL3
制造商：
Toshiba
东芝
描述：VESM NPN 50V 100mA
