RN1108MFVTPL3

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RN1108MFVTPL3中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80

最大电流放大倍数hFE 80

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VESM

外形尺寸

封装 VESM

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1108MFVTPL3引脚图与封装图
RN1108MFVTPL3引脚图
RN1108MFVTPL3封装图
RN1108MFVTPL3封装焊盘图
在线购买RN1108MFVTPL3
型号: RN1108MFVTPL3
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms

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