RN1426TE85LF概述
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 3-Pin S-Mini T/R
RN1426TE85LF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 90 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 90
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 300 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买RN1426TE85LF