RQJ0303PGDQA#H6概述
RENESAS RQJ0303PGDQA#H6 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -30 V, 0.054 ohm, -10 V
表面贴装型 P 通道 30 V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -30 V, 0.054 ohm, -10 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin MPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin MPAK Embossed T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.3A 3-Pin MPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.3A 3-Pin MPAK T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
RQJ0303PGDQA#H6中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.3A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 625pF @10VVds
下降时间 5.7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
RQJ0303PGDQA#H6引脚图与封装图 
在线购买RQJ0303PGDQA#H6
型号： RQJ0303PGDQA#H6
制造商：
Renesas Electronics
瑞萨电子
描述：RENESAS RQJ0303PGDQA#H6 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -30 V, 0.054 ohm, -10 V