RQJ0305EQDQS#H1概述
RENESAS RQJ0305EQDQS#H1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.11 ohm, -4.5 V
表面贴装型 P 通道 3.4A（Ta） 1.5W（Ta） UPAK
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.4A UPAK
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 3.4 A, 0.11 ohm, SOT-89, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin3+Tab UPAK T/R
RQJ0305EQDQS#H1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.4A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 330pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买RQJ0305EQDQS#H1
型号： RQJ0305EQDQS#H1
制造商：
Renesas Electronics
瑞萨电子
描述：RENESAS RQJ0305EQDQS#H1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.11 ohm, -4.5 V