RJK0328DPB-01#J0

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RJK0328DPB-01#J0概述

N沟道 30V 60A

表面贴装型 N 通道 30 V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK


立创商城:
N沟道 30V 60A


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this RJK0328DPB-01#J0 power MOSFET from Renesas. Its maximum power dissipation is 65000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin LFPAK Embossed T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK


RJK0328DPB-01#J0中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 65 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 6380pF @10VVds

额定功率Max 65 W

下降时间 7.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK0328DPB-01#J0
型号: RJK0328DPB-01#J0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:N沟道 30V 60A

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