RJK6024DPD-00#J2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK6024DPD-00#J2概述

N沟道 600V 400A

表面贴装型 N 通道 400mA（Ta） 27.2W（Tc） MP-3A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A

立创商城:
N沟道 600V 400A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin2+Tab MP-3A T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin2+Tab MP-3A T/R

RJK6024DPD-00#J2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 27.2W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 37.5pF @25VVds

下降时间 77 ns

耗散功率Max 27.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK6024DPD-00#J2

型号： RJK6024DPD-00#J2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：N沟道 600V 400A