RJK6032DPH-E0#T2

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RJK6032DPH-E0#T2概述

TO-251 N-CH 600V 3A

通孔 N 通道 600 V 3A(Ta) 40.3W(Tc) TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251


RJK6032DPH-E0#T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40.3W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 285pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK6032DPH-E0#T2
型号: RJK6032DPH-E0#T2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:TO-251 N-CH 600V 3A

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