RJK5030DPD-00#J2参数规格_中文资料_数据手册PDF

RJK5030DPD-00#J2概述

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin2+Tab MP-3A T/R

表面贴装型 N 通道 5A（Ta） 41.7W（Tc） MP-3A

得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab MP-3A T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A

RJK5030DPD-00#J2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 41.7W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 550pF @25VVds

耗散功率Max 41.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RJK5030DPD-00#J2

型号： RJK5030DPD-00#J2

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin2+Tab MP-3A T/R