RJK0305DPB-02#J0

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RJK0305DPB-02#J0概述

RJK0305DPB Series 30V 30A 8mOhm SMT N-Channel Power MOSFET - LFPAK

表面贴装型 N 通道 30 V 30A(Ta) - LFPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the RJK0305DPB-02#J0 power MOSFET from Renesas can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin LFPAK Embossed T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 5-Pin4+Tab LFPAK T/R


RJK0305DPB-02#J0中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1250pF @10VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-669

外形尺寸

封装 SOT-669

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RJK0305DPB-02#J0引脚图与封装图
RJK0305DPB-02#J0引脚图
RJK0305DPB-02#J0封装图
RJK0305DPB-02#J0封装焊盘图
在线购买RJK0305DPB-02#J0
型号: RJK0305DPB-02#J0
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:RJK0305DPB Series 30V 30A 8mOhm SMT N-Channel Power MOSFET - LFPAK

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