RJH60A83RDPD-A0#J2

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RJH60A83RDPD-A0#J2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin TO-252A T/R

IGBT Trench 600V 20A 51W Surface Mount TO-252


得捷:
IGBT 600V 10A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab TO-252A T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin TO-252A T/R


RJH60A83RDPD-A0#J2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 51 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RJH60A83RDPD-A0#J2引脚图与封装图
RJH60A83RDPD-A0#J2引脚图
RJH60A83RDPD-A0#J2封装图
RJH60A83RDPD-A0#J2封装焊盘图
在线购买RJH60A83RDPD-A0#J2
型号: RJH60A83RDPD-A0#J2
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin TO-252A T/R
替代型号RJH60A83RDPD-A0#J2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RJH60A83RDPD-A0#J2

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

IKD10N60RAATMA2

英飞凌

功能相似

RJH60A83RDPD-A0#J2和IKD10N60RAATMA2的区别

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